摘要
在半導體工業中，晶片檢測系統被用來檢測晶片上的缺陷并找到它們的位置。為了確保微結構所需的圖像分辨率，檢測系統通常使用高NA物鏡，并且工作在UV波長范圍內。作為例子，我們建立了包括高NA聚焦和光與微結構相互作用的完整晶片檢測系統的模型，并演示了成像過程。
任務描述
通過在堆棧中定義適當形狀的表面和介質來模擬諸如在晶片上使用的周期性結構的柵格結構。然后，該堆�？梢詫氲礁鞣N不同的組件中，具體取決于預期用途。在這種情況下，我們將堆棧加載到一般光學設置中的一個光柵組件中，以便模擬整個系統。有關詳細信息，請參閱：用于通用光學系統的光柵元件
微結構晶片的角度響應
該光柵組件使用傅里葉模態法(FMM)，也稱為嚴格耦合波分析(RCWA)，其運作在k域中。當入射大NA光束時，需要考慮在k域中有足夠數量的采樣點來解決角度敏感效應。在光柵組件的求解器區域中，用戶可以輕松地調整此參數，以確�？焖俣鴾蚀_的模擬。
大NA物鏡
Lens System Component允許輕松定義由光滑表面和均勻、各向同性介質的交替序列組成的組件。在界面和材料方面，可以從內置目錄中選擇現成的條目，也可以定制自己的條目，以實現最大的靈活性。
通用探測器和探測器插件
通用探測器可以評估入射場，并通過所謂的附加組件計算各種物理量。作為結果，所提供的附加組件之一提供了空間域中的輻照度。有關詳細信息，請參閱：通用探測器
非序列追跡
將通道配置模式切換設置為手動配置后，用戶可以為系統中的每個表面指定要為模擬打開哪些通道。當運行模擬時，將執行活動光路的初步分析(通過所謂的光路查找器)。然后，引擎將沿著這些光路追跡磁場，直到系統中的探測器。
用于非序列追跡的通道設置
總結-組件
系統印象
場追跡結果
結果的非對稱
光柵的非對稱性也導致干涉中的輕微不對稱性�？梢栽诮Y果中識別光柵是否鏡像，結果也將顯示為鏡像。
VirtualLab Fusion技術
|
